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80-M2122PA150M7-K708F7

更新时间： 2023-09-03 20:29:48
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VINCOTECH /
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18页 6612K
描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC

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80-M2122PA150M7-K708F7 数据手册

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80-M2122PA150M7-K708F70  
datasheet  
Characteristic Values  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Values  
Typ  
Unit  
VCE [V] IC [A]  
VDS [V] ID [A] Tj [°C]  
VGE [V]  
VGS [V]  
Min  
Max  
VF [V]  
IF [A]  
Half-Bridge Switch  
Static  
VGE(th)  
Gate-emitter threshold voltage  
10  
0,015  
150  
25  
5,4  
6
6,6  
V
V
25  
1,63  
1,81  
1,86  
1,9(1)  
VCEsat  
Collector-emitter saturation voltage  
15  
125  
150  
ICES  
IGES  
rg  
Collector-emitter cut-off current  
Gate-emitter leakage current  
Internal gate resistance  
Input capacitance  
0
1200  
0
25  
25  
200  
µA  
nA  
Ω
20  
1000  
2
Cies  
Coes  
Cres  
Qg  
32000  
960  
pF  
pF  
pF  
nC  
Output capacitance  
0
10  
25  
25  
Reverse transfer capacitance  
Gate charge  
380  
VCC = 600 V  
0/15  
150  
1140  
Thermal  
λpaste = 2,5 W/mK  
(HPTP)  
(2)  
Rth(j-s)  
Thermal resistance junction to sink  
0,25  
K/W  
Dynamic  
25  
372  
379  
td(on)  
Turn-on delay time  
125  
150  
25  
ns  
ns  
383  
57  
tr  
Rise time  
125  
150  
25  
66  
72  
Rgon = 4 Ω  
Rgoff = 4 Ω  
295  
td(off)  
Turn-off delay time  
Fall time  
125  
150  
25  
325  
ns  
333  
±15  
600  
150  
91,26  
101,64  
112,65  
17,88  
22,69  
23,61  
9,73  
12,47  
13,79  
tf  
125  
150  
25  
ns  
QrFWD=14,66 µC  
QrFWD=23,87 µC  
QrFWD=25,49 µC  
Eon  
Turn-on energy (per pulse)  
Turn-off energy (per pulse)  
125  
150  
25  
mWs  
mWs  
Eoff  
125  
150  
Copyright Vincotech  
3
01 May. 2022 / Revision 2  
1234567...18

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80-M2122PA150SC-K708F4 VINCOTECH

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 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem
80-M2122PA200M7-K709F7 VINCOTECH

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 		IGBT M7 Easy paralleling Low turn-off losses Low collector emitter saturation voltage Pos
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