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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-J2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED |
| 最大击穿电压： | 135 V | 最小击穿电压： | 122 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 8000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 6.5 W |
| 参考标准： | IEC-61000-4-2, 4-4 | 最大重复峰值反向电压： | 110 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | J BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 8.0SMDJ110A-T7 | LITTELFUSE | Trans Voltage Suppressor Diode, 8000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| 8.0SMDJ110CA | LITTELFUSE | Trans Voltage Suppressor Diode, 8000W, 110V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 8.0SMDJ12A | LITTELFUSE | 8.0SMDJ系列专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压现象引起的瞬态电压损 |
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| 8.0SMDJ12CA | LITTELFUSE | 8.0SMDJ系列专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压现象引起的瞬态电压损 |
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| 8.0SMDJ13A | LITTELFUSE | 8.0SMDJ系列专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压现象引起的瞬态电压损 |
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| 8.0SMDJ13A-T7 | LITTELFUSE | Trans Voltage Suppressor Diode, 8000W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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