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7MBP75VFN060-50

更新时间： 2024-03-03 10:10:09

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富士电机 - FUJI		栅
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12页	1300K
描述
IPM(Inv.+Gate Driver) P636

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7MBP75VFN060-50 数据手册

7MBP75VFN060-50

IGBT Modules

Switching Loss vs. Collector Current (typ.)

V^DC=300V,VCC=15V,Tj=25℃

V^DC=300V,VCC=15V,Tj=125℃

Eon

Eoff

Eon

Eoff

Eｒｒ

125

Collector current ： IC [ A ]

100

150

100

125

150

Collector current ： IC [ A ]

Reversed biased safe operating area

Vcc=15V,Tj≦125℃

Transient thermal resistance (max.)

200

150

100

FWD

IGBT

0.1

RBSOA

(Repetitive pulse)

0.01

0.001

100 200 300 400 500 600 700

Collector-Emitter voltage ： VCE [ V ]

0.01

0.1

Pulse width ： PW [ sec ]

Power derating for IGBT (max.)

[per device]

Power derating for FWD (max.)

[per device]

500

400

300

200

100

300

250

200

150

100

100 125 150

Case Temperature ： TC [ ℃ ]

FM6M1591

2014/11

1...4 5 678 9 10...12

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