是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.73 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 100 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | COMPLEX | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X21 | 元件数量: | 7 |
端子数量: | 21 | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 430 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 520 ns | 标称接通时间 (ton): | 360 ns |
VCEsat-Max: | 2.65 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
7MBR75VR120-50 | FUJI |
功能相似 |
IGBT MODULE | |
7MBR75VP060-50 | FUJI |
功能相似 |
IGBT MODULE | |
7MBR100VR120-50 | FUJI |
功能相似 |
IGBT MODULE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7MBR100VR060-50 | FUJI |
获取价格 |
PIM(conv.+Brake+inv.) M720 | |
7MBR100VR120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE | |
7MBR100VX120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE | |
7MBR100VY060-50 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PAC | |
7MBR100VZ060-50 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PAC | |
7MBR100VZ120-50 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PA | |
7MBR100XNA065-50 | FUJI |
获取价格 |
PIM(conv.+Brake+inv.) M720 | |
7MBR100XNA120-50 | FUJI |
获取价格 |
PIM(conv.+Brake+inv.) M720 | |
7MBR100XPE065-50 | FUJI |
获取价格 |
PIM(conv.+Brake+inv.) M719 | |
7MBR100XRA065-50 | FUJI |
获取价格 |
PIM(conv.+Brake+inv.) M720 |