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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 65 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-XQCC-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B | 最大待机电流： | 0.0009 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.125 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 78C16A120DB | IDT | EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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| 78C16A120LB | IDT | EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, LCC-32 |
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| 78C16A120TDB | IDT | EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, TDIP-24 |
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| 78C16A150L | IDT | EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, LCC-32 |
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| 78C16A150LB | IDT | EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, LCC-32 |
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| 78C16A150TD | IDT | EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, TDIP-24 |
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