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78C16A350TDB

更新时间： 2024-02-25 05:38:25

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艾迪悌 - IDT		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	263K
描述
EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, TDIP-24

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78C16A350TDB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.300 INCH, CERAMIC, TDIP-24
针数：	24	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CDIP-T24
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP24,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B	最大待机电流：	0.0009 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
78C16A55D	IDT	EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CDIP24	获取价格
78C16A55L	IDT	EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CQCC32	获取价格
78C16A55TD	IDT	EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CDIP24	获取价格
78C16A70D	IDT	EEPROM, 2KX8, 50ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24	获取价格
78C16A70DB	IDT	EEPROM, 2KX8, 50ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24	获取价格
78C16A70L	IDT	EEPROM, 2KX8, 50ns, Parallel, CMOS, LCC-32	获取价格