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78C16A200DB

更新时间： 2024-02-06 00:22:10

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艾迪悌 - IDT		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	259K
描述
EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24

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78C16A200DB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24
针数：	24	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-CDIP-T24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
最大待机电流：	0.0009 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.125 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
78C16A200L	IDT	EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, LCC-32	获取价格
78C16A250DB	IDT	EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24	获取价格
78C16A250LB	IDT	EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, LCC-32	获取价格
78C16A300DB	IDT	EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24	获取价格
78C16A300TDB	IDT	EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, TDIP-24	获取价格
78C16A350DB	IDT	EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24	获取价格