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74S03DCQR

更新时间: 2024-02-09 02:27:32
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罗彻斯特 - ROCHESTER 逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 139K
描述
NAND Gate

74S03DCQR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.86JESD-30 代码:R-XDIP-T14
JESD-609代码:e0逻辑集成电路类型:NAND GATE
最大I(ol):0.02 A端子数量:14
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
输出特性:OPEN-COLLECTOR封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP14,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
最大电源电流(ICC):36 mAProp。Delay @ Nom-Sup:7.5 ns
施密特触发器:NO子类别:Gates
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

74S03DCQR 数据手册

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