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74HCT1G86GW PDF预览

74HCT1G86GW

更新时间： 2024-02-20 08:11:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发器逻辑集成电路石英晶振光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 82K
描述
2-input EXCLUSIVE-OR gate

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74HCT1G86GW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, SC-88A, 5 PIN
针数：5Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.09
系列：HCTJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e3长度：2 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：XOR GATE
最大I（ol）：0.002 A湿度敏感等级：1
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP5/6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 VProp。Delay @ Nom-Sup：27 ns
传播延迟（tpd）：27 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

74HCT1G86GW 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
74HC1G86;  
74HCT1G86  
2-input EXCLUSIVE-OR gate  
DC CHARACTERISTICS FOR THE 74HC1G  
Over recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Tamb (°C)  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
PARAMETER  
−40 to +85  
−40 to +125  
MIN. MAX.  
1.5  
UNIT  
VCC (V)  
OTHER  
MIN. TYP.(1) MAX.  
VIH  
HIGH-level input  
voltage  
1.5  
3.15  
4.2  
−
1.2  
2.4  
3.2  
0.8  
2.1  
2.8  
2.0  
4.5  
6.0  
4.32  
−
−
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
2.0  
4.5  
6.0  
2.0  
4.5  
6.0  
2.0  
4.5  
6.0  
4.5  
−
3.15  
4.2  
−
−
−
−
VIL  
LOW-level input voltage  
0.5  
1.35  
1.8  
−
0.5  
1.35  
1.8  
−
−
−
−
−
VOH  
HIGH-level output  
voltage; all outputs  
1.9  
4.4  
5.9  
4.13  
1.9  
4.4  
5.9  
3.7  
VI = VIH or VIL;  
−IO = 20 µA  
−
−
−
−
VOH  
HIGH-level output  
voltage; standard  
outputs  
−
−
VI = VIH or VIL;  
−IO = 2.0 mA  
5.63  
5.81  
−
5.2  
−
V
6.0  
VI = VIH or VIL;  
−IO = 2.6 mA  
VOL  
LOW-level output  
voltage; all outputs  
−
−
−
−
0
0.1  
0.1  
−
−
−
−
0.1  
0.1  
0.1  
0.4  
V
V
V
V
2.0  
4.5  
6.0  
4.5  
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
0
0
0.1  
VOL  
LOW-level output  
voltage; standard  
outputs  
0.15  
0.33  
VI = VIH or VIL;  
IO = 2.0 mA  
−
0.16  
0.33  
−
0.4  
V
6.0  
VI = VIH or VIL;  
IO = 2.6 mA  
II  
input leakage current  
−
−
−
−
1.0  
10  
−
−
1.0  
20  
µA  
µA  
6.0  
6.0  
VI = VCC or GND  
ICC  
quiescent supply  
current  
VI = VCC or GND;  
IO = 0  
Note  
1. All typical values are measured at Tamb = 25 °C.  
1998 Aug 05  
5
12345678...12

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