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74HCT1G32GW-Q100H

更新时间： 2024-01-06 17:07:17
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 106K
描述
74HC(T)1G32-Q100 - 2-input OR gate TSSOP 5-Pin

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74HCT1G32GW-Q100H 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP,针数：5
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
系列：HCTJESD-30 代码：R-PDSO-G5
长度：2.05 mm逻辑集成电路类型：OR GATE
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）：27 ns筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.1 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.25 mm
Base Number Matches：1

74HCT1G32GW-Q100H 数据手册

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NXP Semiconductors  
74HC1G32-Q100; 74HCT1G32-Q100  
2-input OR gate  
9. Recommended operating conditions  
Table 6.  
Recommended operating conditions  
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
74HC1G32-Q100  
74HCT1G32-Q100  
Unit  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Typ  
Max  
VCC  
VI  
supply voltage  
input voltage  
2.0  
5.0  
6.0  
VCC  
VCC  
+125  
625  
139  
83  
4.5  
5.0  
5.5  
VCC  
VCC  
V
V
V
0
-
0
-
VO  
output voltage  
ambient temperature  
0
-
0
-
Tamb  
t/V  
40  
+25  
40  
+25  
+125 C  
input transition rise  
and fall rate  
VCC = 2.0 V  
VCC = 4.5 V  
VCC = 6.0 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
139  
-
ns/V  
ns/V  
ns/V  
10. Static characteristics  
Table 7.  
Static characteristics  
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V). All typical values are measured at Tamb = 25 C.  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
40 C to +85 C  
40 C to +125 C Unit  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Max  
74HC1G32-Q100  
VIH HIGH-level input  
VCC = 2.0 V  
1.5  
1.2  
2.4  
3.2  
0.8  
2.1  
2.8  
-
-
1.5  
-
-
V
V
V
V
V
V
voltage  
VCC = 4.5 V  
3.15  
3.15  
VCC = 6.0 V  
4.2  
-
4.2  
-
VIL  
LOW-level input  
voltage  
VCC = 2.0 V  
-
-
-
0.5  
1.35  
1.8  
-
-
-
0.5  
1.35  
1.8  
VCC = 4.5 V  
VCC = 6.0 V  
VOH  
HIGH-level output  
voltage  
VI = VIH or VIL  
IO = 20 A; VCC = 2.0 V  
IO = 20 A; VCC = 4.5 V  
IO = 20 A; VCC = 6.0 V  
IO = 2.0 mA; VCC = 4.5 V  
IO = 2.6 mA; VCC = 6.0 V  
VI = VIH or VIL  
1.9  
4.4  
2.0  
4.5  
-
-
-
-
-
1.9  
4.4  
5.9  
3.7  
5.2  
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
5.9  
6.0  
4.13  
5.63  
4.32  
5.81  
VOL  
LOW-level output  
voltage  
IO = 20 A; VCC = 2.0 V  
IO = 20 A; VCC = 4.5 V  
IO = 20 A; VCC = 6.0 V  
IO = 2.0 mA; VCC = 4.5 V  
IO = 2.6 mA; VCC = 6.0 V  
-
-
-
-
-
-
-
0
0.1  
0.1  
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
0.1  
0.1  
0.4  
0.4  
1.0  
20  
V
0
V
0
0.15  
0.16  
-
0.1  
V
0.33  
0.33  
1.0  
V
V
II  
input leakage current VI = VCC or GND; VCC = 6.0 V  
A  
A  
ICC  
supply current  
VI = VCC or GND; IO = 0 A;  
VCC = 6.0 V  
-
10  
CI  
input capacitance  
-
1.5  
-
-
-
pF  
74HC_HCT1G32_Q100  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP B.V. 2012. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 1 — 8 August 2012  
4 of 12  
 
 
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