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74HC86DB,112 PDF预览

74HC86DB,112

更新时间： 2024-02-29 21:45:32
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管逻辑集成电路石英晶振
页数 文件大小 规格书
16页 119K
描述
74HC(T)86 - Quad 2-input EXCLUSIVE-OR gate SSOP1 14-Pin

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74HC86DB,112 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SSOP1包装说明：SSOP, SSOP14,.3
针数：14Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.35
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e4长度：6.2 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：XOR GATE
最大I（ol）：0.004 A湿度敏感等级：1
功能数量：4输入次数：2
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SSOP封装等效代码：SSOP14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
包装方法：TUBE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/6 VProp。Delay @ Nom-Sup：36 ns
传播延迟（tpd）：180 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：2 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：5.3 mmBase Number Matches：1

74HC86DB,112 数据手册

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74HC86; 74HCT86  
NXP Semiconductors  
Quad 2-input EXCLUSIVE-OR gate  
9. Static characteristics  
Table 6.  
Static characteristics  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
25 C  
Min Typ  
40 C to +85 C 40 C to +125 C Unit  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
74HC86  
VIH  
HIGH-level  
input voltage  
VCC = 2.0 V  
1.5  
1.2  
2.4  
3.2  
0.8  
-
-
1.5  
-
-
1.5  
-
-
V
V
V
V
V
V
VCC = 4.5 V  
3.15  
3.15  
3.15  
VCC = 6.0 V  
4.2  
-
4.2  
-
4.2  
-
VIL  
LOW-level  
input voltage  
VCC = 2.0 V  
-
-
-
0.5  
-
-
-
0.5  
1.35  
1.8  
-
-
-
0.5  
1.35  
1.8  
VCC = 4.5 V  
2.1 1.35  
VCC = 6.0 V  
2.8  
1.8  
VOH  
HIGH-level  
VI = VIH or VIL  
output voltage  
IO = 20 A; VCC = 2.0 V  
IO = 20 A; VCC = 4.5 V  
IO = 20 A; VCC = 6.0 V  
1.9  
4.4  
5.9  
2.0  
4.5  
6.0  
-
-
-
-
-
1.9  
4.4  
-
-
-
-
-
1.9  
4.4  
5.9  
3.7  
5.2  
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
5.9  
IO = 4.0 mA; VCC = 4.5 V 3.98 4.32  
IO = 5.2 mA; VCC = 6.0 V 5.48 5.81  
VI = VIH or VIL  
3.84  
5.34  
VOL  
LOW-level  
output voltage  
IO = 20 A; VCC = 2.0 V  
IO = 20 A; VCC = 4.5 V  
IO = 20 A; VCC = 6.0 V  
IO = 4.0 mA; VCC = 4.5 V  
IO = 5.2 mA; VCC = 6.0 V  
-
-
-
-
-
-
0
0
0
0.1  
0.1  
0.1  
-
-
-
-
-
-
0.1  
0.1  
-
-
-
-
-
-
0.1  
0.1  
0.1  
0.4  
0.4  
1  
V
V
0.1  
V
0.15 0.26  
0.16 0.26  
0.33  
0.33  
1  
V
V
II  
input leakage  
current  
VI = VCC or GND;  
VCC = 6.0 V  
-
0.1  
2.0  
-
A  
ICC  
CI  
supply current VI = VCC or GND; IO = 0 A;  
VCC = 6.0 V  
-
-
-
-
-
20  
-
-
-
40  
-
A  
input  
3.5  
pF  
capacitance  
74HCT86  
VIH  
HIGH-level  
input voltage  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
2.0  
-
1.6  
1.2  
-
2.0  
-
-
2.0  
-
-
V
V
VIL  
LOW-level  
0.8  
0.8  
0.8  
input voltage  
VOH  
HIGH-level  
output voltage  
VI = VIH or VIL; VCC = 4.5 V  
IO = 20 A  
4.4  
4.5  
-
-
4.4  
-
-
4.4  
3.7  
-
-
V
V
IO = 4.0 mA  
3.98 4.32  
3.84  
VOL  
LOW-level  
output voltage  
VI = VIH or VIL; VCC = 4.5 V  
IO = 20 A  
-
-
-
0
0.1  
-
-
-
0.1  
0.33  
1  
-
-
-
0.1  
0.4  
1  
V
IO = 5.2 mA  
0.15 0.26  
0.1  
V
II  
input leakage  
current  
VI = VCC or GND;  
VCC = 5.5 V  
-
A  
74HC_HCT86  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP B.V. 2012. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 3 — 27 August 2012  
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