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74HC58N

更新时间： 2024-02-28 07:17:08

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恩智浦 - NXP		触发器光电二极管栅
页数	文件大小	规格书
5页	40K
描述
Dual AND-OR gate

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技术参数
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74HC58N 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	WAFER
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.83
其他特性：	ASYMMETRICAL INPUTS	系列：	HC/UH
JESD-30 代码：	X-XUUC-N	逻辑集成电路类型：	AND-OR GATE
功能数量：	2	输入次数：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	传播延迟（tpd）：	175 ns
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER

74HC58N 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Dual AND-OR gate

74HC58

FEATURES

• Output capability: standard

• I_CCcategory: SSI

GENERAL DESCRIPTION

The 74HC58 is a high-speed Si-gate CMOS device and is pin compatible with low power Schottky TTL (LSTTL).

It is specified in compliance with JEDEC standard no. 7A.

The “58” provides two sections of AND-OR gates. One section contains a 2-wide, 3-input (1A to 1F) AND-OR gate and

the second section contains a 2-wide, 2-input (2A to 2D) AND-OR gate.

QUICK REFERENCE DATA

GND = 0 V; T_amb= 15 °C; t_r= t_f= 6 ns

TYPICAL

SYMBOL

_PHL/ t_PLH

PARAMETER

propagation delay

CONDITIONS

UNIT

C_L= 15 pF; V_CC= 5 V

1n to 1Y

2n to 2Y

C_I

input capacitance

3.5

C_PD

power dissipation capacitance per

gate

notes 1 and 2

Notes

1. C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din µW):

P_D= C_PD× V_CC²× f_i+ ∑ (C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz

f_o= output frequency in MHz

C_L= output load capacitance in pF

V_CC= supply voltage in V

∑ (C_L× V_CC²× f_o) = sum of outputs

2. For HC the condition is V_I= GND to V_CC

ORDERING INFORMATION

See “74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Information”.

December 1990

123 4 5

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