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74F219PC

更新时间： 2024-01-25 20:50:40

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	55K
描述
64-Bit Random Access Memory with 3-STATE Outputs

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技术参数
数据手册

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74F219PC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.77
最长访问时间：	20 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
长度：	10.3 mm	内存密度：	64 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端子数量：	16
字数：	16 words	字数代码：	16
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16X4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.65 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

74F219PC 数据手册

Unit Loading/Fan Out

Input I_IH/I_IL

U.L.

Pin Names

Description

Output I_OH/I_OL

HIGH/LOW

1.0/1.0

A₀–A₃

Address Inputs

20 µA/−0.6 mA

20 µA/−1.2 mA

Chip Select Input (Active LOW)

Write Enable Input (Active LOW)

Data Inputs

1.0/2.0

1.0/1.0

20 µA/−0.6 mA

D₀–D₃

O₀–O₃

1.0/1.0

20 µA/−0.6 mA

3-STATE Data Outputs

150/40 (33.3)

−3 mA/24 mA (20 mA)

Function Table

Inputs

Operation

Condition of Outputs

Write

Read

Inhibit

High Impedance

True Stored Data

High Impedance

H = HIGH Voltage Level

L = LOW Voltage Level

X = Immaterial

Block Diagram

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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74F219SC	FAIRCHILD	64-Bit Random Access Memory with 3-STATE Outputs	获取价格