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74F189SC

更新时间: 2024-01-18 19:24:07
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美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 169K
描述
64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs

74F189SC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.76
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
内存密度:64 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:16字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16X4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

74F189SC 数据手册

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Physical Dimensions inches (millimeters) (Continued)  
16-Lead Ceramic Dual-In-Line Package (D)  
NS Package Number J16A  
16-Lead (0.150 Wide) Molded Small Outline Package, JEDEC (S)  
×
NS Package Number M16A  
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