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71WS128NB0BFWAN0

更新时间： 2024-01-29 13:26:09

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	331K
描述
Memory Circuit, 32MX4, CMOS, PBGA84, 11.6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84

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71WS128NB0BFWAN0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	84
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	长度：	11.6 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	4	功能数量：	1
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

S71WS-N

Stacked Multi-Chip Product (MCP)

1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write,

Burst-mode Flash Memory with CellularRAM

S71WS-N Cover Sheet

Data Sheet

Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion

product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,

Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.

Publication Number S71WS-N_00

Revision A

Amendment 7

Issue Date April 4, 2008

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
71WS128NB0BFWAP2	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 32MX4, CMOS, PBGA84, 11.6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
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71WS128NC0BAWAK3	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA84, 11.6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
71WS128NC0BAWAM0	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA84, 11.6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
71WS128NC0BAWAM2	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA84, 11.6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
71WS128NC0BAWAN2	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA84, 11.6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84