是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP48,.6 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.06 |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 60.96 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.826 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.155 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7132SA100CGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM | |
7132SA100CGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM | |
7132SA100F | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, CERAMIC, | |
7132SA100FG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
7132SA100FGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM | |
7132SA100FGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM | |
7132SA100J | IDT |
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HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM | |
7132SA100JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
7132SA100JGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM | |
7132SA100JGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K x 8 DUAL PORT STATIC RAM |