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70V7519S166DRI

更新时间： 2024-02-26 10:15:09
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
22页 226K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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70V7519S166DRI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：PQFP
包装说明：PLASTIC, QFP-208针数：208
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.29
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：166 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G208
JESD-609代码：e0长度：28 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FQFP
封装等效代码：QFP208,1.2SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.1 mm
最大待机电流：0.04 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.83 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：28 mm
Base Number Matches：1

70V7519S166DRI 数据手册

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IDT70V7519S  
High-Speed 256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM  
Industrial and Commercial Temperature Ranges  
RecommendedOperating  
RecommendedDCOperating  
TemperatureandSupplyVoltage(1)  
Conditions with VDDQ at 2.5V  
Symbol  
Parameter  
Core Supply Voltage  
I/O Supply Voltage(3)  
Ground  
Min. Typ.  
Max.  
3.45  
2.6  
0
Unit  
V
Ambient  
Grade  
Commercial  
Temperature  
0OC to +70OC  
-40OC to +85OC  
GND  
0V  
VDD  
V
DD  
DDQ  
SS  
IH  
3.15 3.3  
3.3V  
3.3V  
+
+
150mV  
150mV  
V
2.4  
0
2.5  
V
Industrial  
0V  
V
0
V
5618 tbl 04  
(2)  
____  
V
DDQ + 100mV  
Input High Voltage  
1.7  
V
V
NOTE:  
(Address & Control Inputs)  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
(3)  
(2)  
____  
____  
V
IH  
Input High Voltage - I/O  
1.7  
V
DDQ + 100mV  
V
VIL  
Input Low Voltage  
-0.3(1)  
0.7  
V
5618 tbl 05a  
NOTES:  
1. Undershoot of VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns is allowed.  
2. VTERM must not exceed VDDQ + 100mV.  
3. To select operation at 2.5V levels on the I/Os and controls of a given port, the  
OPTpinforthatportmustbesettoVIL (0V),andVDDQX forthatportmustbesupplied  
as indicated above.  
AbsoluteMaximumRatings(1)  
Symbol  
Rating  
Commercial  
& Industrial  
Unit  
(2)  
V
TE RM  
Terminal Voltage  
with Respect to  
GND  
-0.5 to +4.6  
V
RecommendedDCOperating  
Conditions with VDDQ at 3.3V  
T
BIAS  
Te mpe rature  
Under Bias  
-55 to +125  
-65 to +150  
50  
oC  
oC  
Symbol  
Parameter  
Core Supply Voltage  
I/O Supply Voltage(3)  
Ground  
Min. Typ.  
3.15 3.3  
3.15 3.3  
Max.  
3.45  
3.45  
0
Unit  
V
Storage  
Te mpe rature  
TSTG  
V
DD  
DDQ  
SS  
IH  
V
V
IOUT  
DC Output Current  
mA  
V
0
0
V
5618 tbl 06  
NOTES:  
(2)  
____  
Input High Voltage  
(Address & Control Inputs)  
2.0  
VDDQ + 150mV  
V
V
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated  
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
2. VTERM must not exceed VDD + 150mV for more than 25% of the cycle time or  
4ns maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > VDD + 150mV.  
(3)  
(3)  
(2)  
____  
____  
V
IH  
Input High Voltage - I/O  
2.0  
V
DDQ + 150mV  
V
VIL  
Input Low Voltage  
-0.3(1)  
0.8  
V
5618 tbl 05b  
NOTES:  
1. Undershoot of VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns is allowed.  
2. VTERM must not exceed VDDQ + 150mV.  
3. To select operation at 3.3V levels on the I/Os and controls of a given port, the  
OPT pin for that port must be set to VIH (3.3V), and VDDQX for that port must be  
supplied as indicated above.  
6.42  
7
1...45678910...22

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