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6F20MS05

更新时间： 2024-02-27 10:46:16
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
13页 2067K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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6F20MS05 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-MUPM-D1Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流：115 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.5 µs
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

6F20MS05 数据手册

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1N3879(R), 1N3889(R), 6/12/16FL(R) Series  
Fast Recovery Diodes  
(Stud Version), 6/12/16 A  
Vishay High Power Products  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM  
REPETITIVE PEAK AND  
OFF-STATE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM  
NON-REPETITIVE  
PEAK VOLTAGE  
V
I
RRM MAXIMUM  
AT TJ = 25 °C  
µA  
I
RRM MAXIMUM  
IRRM MAXIMUM  
AT TJ = 150 °C  
mA  
TYPE  
NUMBER  
VOLTAGE  
CODE  
AT TJ = 100 °C  
mA  
50  
100  
200  
300  
400  
50  
75  
150  
250  
350  
450  
75  
1N3879.  
1N3880.  
1N3881.  
1N3882.  
-
-
15 (1)  
1.0 (1)  
3.0 (1)  
1N3883.  
1N3889.  
1N3890.  
1N3891.  
100  
200  
300  
400  
50  
150  
250  
350  
450  
75  
25 (1)  
3.0 (1)  
5.0 (1)  
1N3892.  
1N3893.  
5
10  
20  
40  
60  
80  
100  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
150  
275  
500  
725  
950  
1250  
6FL..  
12FL..  
16FL..  
50  
-
6.0  
Note  
(1)  
JEDEC registered values  
FORWARD CONDUCTION  
1N3889.  
1N3879.  
1N3883.  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
6FL.. 1N3893. 16FL.. UNITS  
12FL..  
6 (1)  
100  
9.5  
12 (1)  
100  
19  
6
16  
100  
25  
A
Maximum average forward current  
at case temperature  
180° conduction, half sine wave  
DC  
IF(AV)  
100  
9.5  
130  
135  
110  
115  
86  
°C  
Maximum RMS current  
IF(RMS)  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
85  
90  
72  
170  
180  
145  
215  
225  
180  
190  
230  
210  
160  
150  
2290  
1.4  
No voltage  
reapplied  
A
Maximum peak, one-cycle  
non-repetitive forward current  
IFSM  
100 % VRRM  
reapplied  
Sinusoidal  
half wave,  
initial  
75 (1)  
36  
150 (1)  
145  
No voltage  
reapplied  
TJ = 150 °C  
33  
26  
78  
130  
103  
94  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
60  
100 % VRRM  
reapplied  
23  
55  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
TJ = 25 °C; IF = Rated IF(AV) (DC)  
363  
856  
1.4  
1.5  
1452  
A2√s  
V
1.4 (1)  
1.5 (1)  
1.4 (1)  
1.5 (1)  
Maximum forward voltage drop  
VFM  
T
C = 100 °C; IFM = π x rated IF(AV)  
1.5  
V
Note  
(1)  
JEDEC registered values  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
Document Number: 93138  
Revision: 26-Sep-08  
1234567...13

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