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5KP60C-5RE3

更新时间: 2024-01-13 09:54:10
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

5KP60C-5RE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PBCY-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.52
最大击穿电压:81.5 V最小击穿电压:66.7 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PBCY-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
最大重复峰值反向电压:60 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM

5KP60C-5RE3 数据手册

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