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5KP110

更新时间： 2024-02-29 01:25:06

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美丽微 - FORMOSA		二极管电视
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4页	86K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENTVOLTAGE SUPPRESSOR

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5KP110 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.11	其他特性：	LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压：	149 V	最小击穿电压：	122 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值反向功率耗散：	5000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	265	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	8 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

5KP110 数据手册

DATA SHEET

5KP SERIES

GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

Unit: inch(mm)

P-600

5.0 to 220 Volts

5000 Watts

PEAK PULSE POWER

VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

.052(1.3)

.048(1.2)

• 5000W Peak Pulse Power capability at on 10/1000µs waveform

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Repetition rate(Duty Cycle):.05%

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Typical IR less than 1µA above 10V

.360(9.1)

.340(8.6)

MECHANICALDATA

Case: JEDEC P-600 molded plastic

Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar

Mounting Position: Any

Weight: 0.07 ounce, 2.1 gram

DEVICESFORBIPOLARAPPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types 5KP5.0 thru types 5KP220

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUMRATINGSANDCHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Symbol

Value

5000

Units

Peak Power Dissipation at TA =25^OC, T P=1ms(Note 1)

Watts

Amps

^OC

Steady State Power dissipation at

Lead Lengths .375", (95mm) (Note 2)

T C

L = 75 ^O

8.0

400

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JECED Method) (Note 3)

FSM

Operating Junction and Storage Temperature Range

,TSTG

-55 to +175

NOTES:

1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T_A=25°Cper Fig. 2.

2.Mounted on Copper Leaf area of 0.79in²(20mm²).

3.8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

STAD-NOV.11.2003

PAGE . 1

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与5KP110相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5KP110(C)	GOOD-ARK	获取价格	TVS
5KP110(C)A	GOOD-ARK	获取价格	TVS
5KP110/1	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 110V V(RWM), Unidirectional,
5KP110/100-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP110/23	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 110V V(RWM), Unidirectional,
5KP110/4F	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
5KP110/4H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
5KP110/4H-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP110/51-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP110/53	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL

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