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5962F9956002QXC

更新时间： 2024-02-19 15:07:23

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英特矽尔 - INTERSIL		驱动信息通信管理接口集成电路驱动器
页数	文件大小	规格书
3页	255K
描述
Radiation Hardened Dual, Non-Inverting Power MOSFET Drivers

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技术参数
数据手册

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5962F9956002QXC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP,	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	高边驱动器：	NO
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	R-CDFP-F16
JESD-609代码：	e4	功能数量：	2
端子数量：	16	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	标称输出峰值电流：	2 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压：	18 V	最小供电电压：	12 V
标称供电电压：	15 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	总剂量：	300k Rad(Si) V
断开时间：	0.25 µs	接通时间：	0.25 µs
Base Number Matches：	1

5962F9956002QXC 数据手册

HS-4424RH, HS-4424EH, HS-4424BRH, HS-4424BEH

Ordering Information

ORDERING

SMD NUMBER

(Note 2)

PART NUMBER

(Note 1)

TEMPERATURE RANGE

(°C)

PACKAGE

(RoHS Compliant)

PKG.

DWG. #

5962F9956004V9A

HS0-4424BEH-Q

-55 to +125

DIE

5962F9956002V9A

HS0-4424BRH/SAMPLE

5962F9956003V9A

5962F9956001V9A

HS0-4424RH/SAMPLE

5962F9956001VXC

5962F9956004VXC

5962F9956003VXC

5962F9956002QXC

5962F9956002VXC

HS9-4424BRH/PROTO

HS9-4424RH/PROTO

5962F9956001QXC

NOTES:

HS0-4424BRH-Q

HS0-4424BRH/SAMPLE

HS0-4424EH-Q

DIE

DIE SAMPLE

DIE

HS0-4424RH-Q

DIE

HS0-4424RH/SAMPLE

HS9-4424RH-Q

DIE SAMPLE

16 Ld Flatpack

K16.A

HS9-4424BEH-Q

HS9-4424EH-Q

HS9-4424BRH-8

HS9-4424BRH-Q

HS9-4424BRH/PROTO

HS9-4424RH/PROTO

HS9-4424RH-8

1. These Intersil Pb-free Hermetic packaged products employ 100% Au plate - e4 termination finish, which is RoHS compliant and compatible with both

SnPb and Pb-free soldering operations.

2. Specifications for Rad Hard QML devices are controlled by the Defense Logistics Agency Land and Maritime (DLA). The SMD numbers listed in the

“Ordering Information” table on page 2 must be used when ordering..

FN4739.2

September 24, 2013

123

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