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5962F9670301VXC

更新时间： 2024-01-29 23:34:18

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英特矽尔 - INTERSIL		栅
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate with Open Drain

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5962F9670301VXC 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP,	针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
系列：	AC	JESD-30 代码：	R-CDFP-F14
长度：	9.525 mm	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
功能数量：	4	输入次数：	2
端子数量：	14	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
传播延迟（tpd）：	15 ns	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	总剂量：	300k Rad(Si) V
宽度：	6.285 mm	Base Number Matches：	1

5962F9670301VXC 数据手册

ACS03MS

Die Characteristics

DIE DIMENSIONS:

68 mils x 79 mils

1730mm x 2010mm

METALLIZATION:

Type: AlSi

Metal 1 Thickness: 7.125kÅ ±1.125kÅ

Metal 2 Thickness: 9kÅ ±1kÅ

GLASSIVATION:

Type: SiO₂

Thickness: 8kÅ ±1kÅ

WORST CASE CURRENT DENSITY:

<2.0 x 10⁵A/cm²

BOND PAD SIZE:

110µm x 110µm

4.3 mils x 4.3 mils

Metallization Mask Layout

ACS03MS

VCC

(14)

(2)

(1)

(13)

Y1 (3)

(12) A4

(11) Y4

A2 (4)

B2 (5)

(10) B3

Y2 (6)

(9) A3

(7)

GND

(8)

Spec Number 518779

1 234

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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