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5962F9582301QYC

更新时间： 2024-02-24 16:56:57
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 129K
描述
Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM

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5962F9582301QYC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DFP
包装说明：DFP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.6
Is Samacsys：N最长访问时间：50 ns
JESD-30 代码：R-CDFP-F28JESD-609代码：e4
长度：18.288 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度：2.92 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
总剂量：300k Rad(Si) V宽度：12.446 mm
Base Number Matches：1

5962F9582301QYC 数据手册

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HS-65647RH  
Burn-In Circuits  
HS-65647RH 28 LEAD FLATPACK AND CERAMIC DIP  
HS-65647RH 28 LEAD FLATPACK AND CERAMIC DIP  
VDD  
VDD  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
1
28  
NC  
A12  
A7  
VDD  
W
NC  
NC  
A12  
A7  
VDD  
W
NC  
F13  
F8  
2
3
27  
26  
F0  
3
E2  
E2  
4
4
5
6
25  
24  
23  
A6  
A8  
F7  
F6  
F9  
A6  
A8  
5
A5  
A9  
F10  
F12  
A5  
A9  
6
A4  
A11  
G
F5  
A4  
A11  
G
7
F4  
A3  
7
8
22  
A3  
F0  
8
A2  
A10  
E1  
F3  
21  
20  
19  
18  
A2  
A10  
E1  
F11  
9
9
10  
11  
12  
13  
14  
A1  
F2  
A1  
10  
11  
12  
13  
14  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
F1  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
F14  
F14  
F14  
F14  
F14  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
R2  
F14  
F14  
F14  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
NC  
NC  
NC  
R2  
R2  
17  
16  
15  
STATIC CONFIGURATION  
DYNAMIC CONFIGURATION  
NOTES:  
NOTES:  
7. VDD = 5.5V Min.  
1. VDD = 5.5V Min.  
8. R = 10kΩ ±10%.  
2. R = 10kΩ ±10%, except R2 = 47kΩ ±10%.  
3. VIH: VDD ±0.5V, VIL: 0.4V ±0.4V.  
4. F0 = 100kHz ±10%, 50% Duty Cycle.  
5. F1 = F0/2; F2 = F1/2; F3 = F2/2; . . . F14 = F13/2.  
6. F0 = inverted F0.  
HS-65647RH 36 LEAD FLATPACK  
HS-65647RH 36 LEAD FLATPACK  
VDD  
VDD  
1
1
36  
36  
VSS  
VDD  
NC  
A12  
A7  
VSS  
VDD  
NC  
W
VSS  
VDD  
NC  
A12  
A7  
VSS  
VDD  
NC  
W
2
3
2
3
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
NC  
NC  
NC  
NC  
4
4
F13  
F8  
F7  
F6  
F5  
F0  
5
5
E2  
E2  
6
6
A6  
A8  
A6  
A8  
F9  
7
7
A5  
A9  
A5  
A9  
F10  
8
8
A4  
A11  
G
A4  
A11  
G
F12  
F0  
9
9
F4  
F3  
F2  
A3  
A3  
10  
11  
12  
13  
10  
11  
12  
13  
A2  
A10  
E1  
A2  
A10  
E1  
F11  
A1  
A1  
R2  
F1  
F14  
F14  
F14  
A0  
DQ7  
DQ6  
NC  
A0  
DQ7  
DQ6  
F14  
R2  
R2  
R2  
R2  
DQ0  
DQ0  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
F14  
F14  
F14  
14  
15  
14  
15  
23  
22  
R2  
R2  
23  
22  
DQ1  
DQ2  
DQ5  
DQ4  
DQ1  
DQ2  
DQ5  
DQ4  
16  
17  
18  
16  
17  
18  
R2  
21  
20  
19  
21  
20  
19  
NC  
NC  
NC  
DQ3  
VDD  
VSS  
DQ3  
VDD  
VSS  
NC  
F14  
VDD  
VSS  
VDD  
VSS  
DYNAMIC CONFIGURATION  
STATIC CONFIGURATION  
NOTES:  
NOTES:  
9. VDD = 5.5V Min.  
15. VDD = 5.5V Min.  
10. R = 10kΩ ±10%, except R2 = 4.7kΩ ±10%.  
11. VIH: VDD ±0.5V, VIL: 0.4V ±0.4V.  
12. F0 = 100kHz ±10%, 50% Duty Cycle.  
16. R = 10kΩ ±10%.  
13. F1 = F0/2; F2 = F1/2; F3 = F2/2; . . . F14 = F13/2.  
14. F0 = Inverted F0.  
6
1...345678

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