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5962F9565802VXC

更新时间： 2024-01-22 23:12:13

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		输入元件逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	232K
描述
ACT SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14

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5962F9565802VXC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFP	包装说明：	DFP, FL14,.3
针数：	14	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	系列：	ACT
JESD-30 代码：	R-CDFP-F14	JESD-609代码：	e0
长度：	9.525 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	最大I（ol）：	0.008 A
功能数量：	3	输入次数：	3
端子数量：	14	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL14,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	20 ns	传播延迟（tpd）：	20 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V	座面最大高度：	2.92 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
总剂量：	300k Rad(Si) V	宽度：	6.285 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962F9565901VCC	ETC	Dual 4-input NAND Gate	获取价格
5962F9565901VCX	WEDC	IC ACT SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, Gate	获取价格
5962F9565901VXC	ETC	Dual 4-input NAND Gate	获取价格
5962F9565902V9A	WEDC	IC ACT SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, UUC16, DIE-16, Gate	获取价格
5962F9565902V9X	WEDC	IC ACT SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, UUC16, DIE-16, Gate	获取价格
5962F9565902VCC	ETC	Dual 4-input NAND Gate	获取价格