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5962-9958101QXC

更新时间： 2024-02-11 05:04:13
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
17页 53K
描述
MICROCIRCUIT DATA SHEET

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5962-9958101QXC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：PGA,Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：5.63
边界扫描：NO通信协议：SYNC; BIT ;BYTE
JESD-30 代码：X-CPGA-P180低功率模式：NO
湿度敏感等级：1端子数量：180
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：PGA
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Qualified
筛选级别：MIL-STD-883最大供电电压：5.25 V
最小供电电压：4.75 V标称供电电压：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：PIN/PEG
端子位置：PERPENDICULAR处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
uPs/uCs/外围集成电路类型：SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIALBase Number Matches：1

5962-9958101QXC 数据手册

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MICROCIRCUIT DATA SHEET  
MNAR629A-X REV 0A0  
Electrical Characteristics  
DC PARAMETERS: FUNCTIONAL TESTS  
(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)  
DC: Vdd = Vcc = 5V +5%, Vss = GND, -55 C<Ta<+125 C  
PIN-  
NAME  
SUB-  
SYMBOL  
IOPL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
NOTES  
MIN  
MAX UNIT  
GROUPS  
Output Leakage  
Current - Pull-Up  
Vo = Vss  
3
-200  
uA  
1, 2,  
3
IOPH  
DIDD  
Vt+  
Output Leakage  
Vo = Vdd, Vdd = Vdd max  
20  
uA  
mA  
V
1, 2,  
3
Current - Pull-Up  
Dynamic Supply  
Current  
FC = 32MHz, Vdd = Vdd max  
Vdd = Vdd max, Vdd = Vdd min  
110  
1, 2,  
3
Positive Going  
Schmitt Trigger  
Input Threshold  
0.75  
Vdd  
1, 2,  
3
Vt-  
VH  
Negative Going  
Schmitt Trigger  
Input Threshold  
Vdd = Vdd max, Vdd = Vdd min  
Vdd = Vdd max, Vdd = Vdd min  
1.0  
1.0  
V
V
1, 2,  
3
Schmitt  
Hysteresis  
Voltage  
1, 2,  
3
Gross Functional Vdd = 5.0V, Vdd = 4.75V, Vdd = 5.25V  
Fmax Functional Vdd = 5.0V, Vdd = 5.25V, Vdd = 4.75V  
Pass  
Pass  
7, 8  
7, 8  
AC: SUBSYSTEM READ CHARACTERISTICS  
(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)  
AC: Vdd = Vcc = 5V +5%, Vss = GND, -55 C <TA<+125 C, CL = 50pF  
TAAS  
TBDMA  
TD3S  
AD Setup Time to Vdd = 4.75V, Vdd = 5.25V  
ASO High  
3T-40 3T+25 nS  
315T nS  
1T-20 1T+40 nS  
9, 10,  
11  
DMA Start To DMA Vdd = 5V +5%  
Start  
9, 10,  
11  
Delay from DSO  
rising edge to  
Tri-State  
Vdd = 4.75V, Vdd = 5.25V  
9, 10,  
11  
TDAS  
Delay from RICK  
to ASO Low  
Vdd = 4.75V, Vdd = 5.25V  
1T  
1T+40 nS  
9, 10,  
11  
TDBAH  
TDBAK  
TDBAK1  
TDBAKW  
TDBAL  
BSAO High Delay  
from BUSA High  
25  
nS  
nS  
nS  
9, 10,  
11  
BUSA Response  
Time  
Vdd = 4.75V, Vdd = 5.25V  
Vdd = 5V +5%  
0
0
0
130T  
126T  
9, 10,  
11  
BUSA Response  
Time (1 WAT)  
9, 10,  
11  
BUSA Response  
Time (WAIT)  
Vdd = 5V +5%  
122T-T nS  
WRWT  
9, 10,  
11  
BSAO Low Delay  
from BUSR High,  
BUSA Low  
25  
nS  
9, 10,  
11  
4
1234567...17

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