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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DFP | 包装说明： | CERAMIC, DFP-50 |
| 针数： | 50 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 15 ns |
| 其他特性： | AUTO REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 66 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-CDFP-F50 | 长度： | 21 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 50 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DFP | 封装等效代码： | FL50,.67,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class Q | 座面最大高度： | 3.55 mm |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.175 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 16.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9754501QXA | ETC | x16 SDRAM |
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| 5962-9754502NYB | ETC | x16 SDRAM |
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| 5962-9754502QXA | ETC | x16 SDRAM |
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| 5962-9754503NYB | ETC | x16 SDRAM |
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| 5962-9754503QXA | ETC | x16 SDRAM |
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| 5962-9754701Q2A | TI | 4 位幅度比较器 | FK | 20 | -55 to 125 |
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