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5962-9562501NXB

更新时间： 2024-01-25 08:57:52

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其他 - ETC		闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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35页	1531K
描述
x8/x16 Flash EEPROM

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5962-9562501NXB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SSOP	包装说明：	SSOP, SOP56,.6,32
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	85 ns	其他特性：	USER-SELECTABLE 5V OR 12V VPP
备用内存宽度：	16	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e0	长度：	23.7 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	56
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SSOP	封装等效代码：	SOP56,.6,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
页面大小：	128/256 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3/5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	1.9 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.155 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	13.3 mm	Base Number Matches：	1

5962-9562501NXB 数据手册

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与5962-9562501NXB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-9562501NXX	WEDC	获取价格	IC 2M X 8 FLASH 5V PROM, 85 ns, PDSO56, PLASTIC, SSOP-56, Programmable ROM
5962-9562502NXB	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
5962-9562502NXX	WEDC	获取价格	Flash, 2MX8, 100ns, PDSO56, PLASTIC, SSOP-56
5962-9562503NXB	INTEL	获取价格	Flash, 2MX8, 85ns, PDSO56, PLASTIC, SSOP-56
5962-9562504NXB	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
5962-9562504NXX	WEDC	获取价格	Flash, 2MX8, 100ns, PDSO56, PLASTIC, SSOP-56
5962-9562701NXD	ETC	获取价格	x18 Synchronous FIFO
5962-9562701QYA	ETC	获取价格	x18 Synchronous FIFO
5962-9562801QYA	ETC	获取价格	x36 Synchronous Bidirectional FIFO
5962-9562801QYX	WEDC	获取价格	IC OTHER FIFO, 15 ns, CQFP132, CERAMIC, QFP-132, FIFO