生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 55 ns | 其他特性: | RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 35.56 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 4.14 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-9305604MXC | ETC |
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8K X 8 nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM | |
5962-9305604MXX | ETC |
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8K X 8 nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM | |
5962-9305604MYA | ETC |
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8K X 8 nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM | |
5962-9305604MYC | SIMTEK |
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Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
5962-9305604MYX | ETC |
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8K X 8 nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM | |
5962-9305605MXA | SIMTEK |
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Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
5962-9305605MXC | ETC |
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8K X 8 nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM | |
5962-9305605MXX | ETC |
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8K X 8 nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM | |
5962-9305605MYA | ETC |
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8K X 8 nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM | |
5962-9305605MYC | SIMTEK |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |