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5962-9305606MYX

更新时间: 2024-01-02 03:34:29
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 335K
描述
8K X 8 nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile Static RAM

5962-9305606MYX 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:QCCN,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
其他特性:RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALLJESD-30 代码:R-CQCC-N28
长度:13.97 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:2.29 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:8.89 mmBase Number Matches:1

5962-9305606MYX 数据手册

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