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5962-9089912MXX

更新时间： 2024-02-07 12:19:28
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 闪存内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
27页 208K
描述
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON

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5962-9089912MXX 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：QFJ
包装说明：QCCN,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.8
Is Samacsys：N最长访问时间：150 ns
JESD-30 代码：R-CQCC-N32JESD-609代码：e0
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
编程电压：12 V认证状态：Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class Q最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
Base Number Matches：1

5962-9089912MXX 数据手册

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TABLE I. Electrical performance characteristics - Continued.  
Test  
Symbol  
Conditions  
+125 C 1/  
5.5 V  
unless otherwise specified  
Group A  
Subgroups  
Device  
type  
Limits  
Units  
-55 C  
4.5 V  
T
C
V
CC  
Min  
Max  
DC CHARACTERISTICS - Continued  
V
erase current  
I
V
PP  
= V  
PPH  
erasure in progress 1, 2, 3  
All  
All  
30 2/  
0.8  
mA  
V
PP  
PP3  
Low level input  
voltage  
V
V
V
V
V
1, 2, 3  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
-0.5 2/  
2.0  
IL  
High level input  
voltage (TTL)  
All  
All  
All  
All  
V
+ 0.5  
V
V
V
V
IH1  
IH2  
OL  
OH1  
CC  
2/  
High level input  
voltage (CMOS)  
0.7 V  
CC  
V
+ 0.5  
CC  
2/  
Low level output  
voltage  
I
OL  
= 2.1 mA, V  
CC  
= V  
CC  
min  
0.45  
High level output  
voltage (TTL)  
I
= -2.5 mA, V  
= V  
min  
2.4  
OH  
CC  
CC  
High level output  
voltage (CMOS)  
V
V
I
I
= -2.5 mA, V  
= -100 µA, V  
= V  
= V  
min  
min  
0.85 V  
CC  
V
V
OH2  
OH  
CC  
CC  
1, 2, 3  
All  
V
- 0.4  
OH3  
OH  
CC  
CC  
CC  
2/  
A9 auto select  
voltage  
V
I
A9 = V  
ID  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
All  
All  
All  
All  
All  
11.5  
13.0  
V
ID  
A9 auto select  
current  
A9 = V max, V  
ID  
= V  
max  
500 2/  
µA  
V
ID  
CC  
CC  
V
during read  
V
NOTE: erase/program are  
inhibited when V  
1, 2, 3  
0
V
+ 2.0  
PP  
only operations  
PPL  
PPH  
CC  
2/  
= V  
PP  
PPL  
V
during read/write  
V
1, 2, 3  
11.4  
12.6  
V
PP  
operations  
Functional tests  
See 4.4.1d  
7, 8A, 8B  
See footnotes at end of table.  
SIZE  
STANDARD  
5962-90899  
A
MICROCIRCUIT DRAWING  
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS  
COLUMBUS, OHIO 43216-5000  
REVISION LEVEL  
C
SHEET  
7
DSCC FORM 2234  
APR 97  
1...45678910...27

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