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5962-9073103MEX

更新时间： 2024-01-27 10:45:33

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16页	160K
描述
SPST, 2 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16,

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5962-9073103MEX 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.56	模拟集成电路 - 其他类型：	SPST
JESD-30 代码：	R-GDIP-T16	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
信道数量：	1	功能数量：	2
端子数量：	16	标称断态隔离度：	68 dB
最大通态电阻 (Ron)：	35 Ω	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
最长断开时间：	145 ns	最长接通时间：	175 ns
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

5962-9073103MEX 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics.

Conditions 1/

-55°C ≤ T_A≤ +125°C

Group A

subgroups

Device

type

Limits

Unit

Test

Symbol

r_DS(ON)

unless otherwise specified

Min

Max

Drain-to-source ON

resistance

V_IN= 0.8 V

1, 3

Ω

V+ = 13.5 V,

V- = -13.5 V,

I_S= -10 mA,

V_D= ±8.5 V

V_IN= 2.4 V

1, 3

V_IN= 0.8 V or

2.4 V 2/

1, 3

V_IN= 0.8 V

1, 3

V+ = 10.8 V,

V- = 0 V,

100

I_S= -10 mA,

V_IN= 2.4 V

1, 3

V_D= 3.0 V and

8.0 V

100

V_IN= 0.8 V or

2.4 V 2/

1, 3

100

+0.25

+20

+0.25

+20

+0.25

+20

+0.25

+20

+0.25

+20

+0.25

+20

Source OFF leakage

current

I_S(OFF)

V_IN= 0.8 V

-0.25

-20

V+ = 16.5 V,

V- = -16.5 V,

V_D= -15.5 V

V_S= 15.5 V

2, 3

V_IN= 2.4 V

-0.25

-20

2, 3

V_IN= 0.8 V or

2.4 V 2/

-0.25

-20

2, 3

V_IN= 0.8 V

-0.25

-20

V+ = 16.5 V,

V- = -16.5 V,

V_D= 15.5 V

V_S= -15.5 V

2, 3

V_IN= 2.4 V

-0.25

-20

2, 3

V_IN= 0.8 V or

2.4 V 2/

-0.25

-20

2, 3

See footnotes at end of table.

SIZE

STANDARD

5962-90731

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

REVISION LEVEL

SHEET

DSCC FORM 2234

APR 97

1 2 3 456 7 8...16

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