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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.56 |
| 最长访问时间： | 40 ns | 其他特性： | RETRANSMIT |
| 周期时间： | 50 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 37.338 mm |
| 内存密度： | 36864 bit | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 4KX9 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.715 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-9071505MXX | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| 5962-9071505MYX | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| 5962-9071505MZA | WEDC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32 |
|
| 5962-9071505MZX | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| 5962-9071506MUA | CYPRESS |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
|
| 5962-9071506MUX | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| 5962-9071506MXX | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| 5962-9071506MYA | WEDC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 30ns, Synchronous, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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| 5962-9071506MYX | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| 5962-9071506MZA | CYPRESS |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
|
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