5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | DIP-32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| 最长访问时间： | 15 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 42.2275 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 5.89 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8959842MXA | ETC | x8 SRAM |
获取价格 |
|
| 5962-8959842MYA | ETC | x8 SRAM |
获取价格 |
|
| 5962-8959843MXA | ETC | x8 SRAM |
获取价格 |
|
| 5962-8959843MYA | ETC | x8 SRAM |
获取价格 |
|
| 5962-8959844MYA | MICROSS | Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, SOJ-32 |
获取价格 |
|
| 5962-8959844MZA | ETC | x8 SRAM |
获取价格 |
|
AO3401场效应管参数、引脚图、应用原理图
BT131可控硅参数及引脚图、工作原理详解
74LS32芯片参数、引脚图及功能真值表
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
