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| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.4 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.36 |
| 最长访问时间： | 15 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.89 mm |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8959845MMA | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-8959845MZA | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-8959846MZA | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-8959847Q6A | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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| 5962-8959847QTC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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| 5962-8959847QZC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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