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5962-8866205NA

更新时间： 2024-01-24 17:26:27

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赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	237K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

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5962-8866205NA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	CDIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.16
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	37.1475 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
认证状态：	Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.15 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

5962-8866205NA 数据手册

CY7C199

Switching Waveforms (continued)

[13, 14]

Read Cycle No. 2

ACE

HZOE

DOE

HZCE

LZOE

HIGH

IMPEDANCE

HIGH IMPEDANCE

DATA OUT

DATA VALID

LZCE

ICC

SUPPLY

CURRENT

50%

ISB

C199–9

[10, 15, 16]

Write Cycle No. 1 (WE Controlled)

ADDRESS

PWE

DATA VALID

DATA I/O

HZOE

C199–10

[10, 15, 16]

Write Cycle No. 2 (CE Controlled)

ADDRESS

SCE

DATA I/O

DATA

VALID

C199–11

Notes:

14. Address valid prior to or coincident with CEtransition LOW.

15. Data I/O is high impedance if OE = V_IH

16. If CEgoes HIGH simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high-impedance state.

1...4 5 678 9 10...13

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