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5962-8863401ZX

更新时间： 2024-02-04 01:54:40

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	196K
描述
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28

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技术参数
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5962-8863401ZX 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CERAMIC, FP-28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
JESD-30 代码：	R-CDFP-F28	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.3 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

5962-8863401ZX 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics - Continued.

Conditions

-55°C ≤ T_C≤ +125°C

Group A

subgroups

Device

type

Limits

Unit

Test

Symbol

_SS= 0 V, 4.5 V < V_CC< 5.5 V,

unless otherwise specified 1/

Min

Max

Chip disable to output

in high Z 4/

t_EHQZ

See figure 4 5/

9, 10, 11

01, 02

03, 04,

Output enable to

output in low Z 4/

t_OLQX

9, 10, 11

All

Output disable to

output in high Z 4/

t_OHQX

01, 02

03, 04,

Output hold from

address change

t_AXQX

9, 10, 11

All

Write cycle time

t_WHWL1

01, 03,

t_EHEL1

t_AVEL

02, 04

All

Address setup time

9, 10, 11

t_AVWL

Address hold time

Write setup time

Write hold time

t_ELAX

t_WLAX

t_WLEL

t_ELWL

t_EHWH

t_WHEH

9, 10, 11

All

See footnotes at end of table.

SIZE

STANDARD

5962-88634

MICROCIRCUIT DRAWING

REVISION LEVEL

SHEET

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

DSCC FORM 2234

APR 97

1...3 4 567 8 9...21

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