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5962-8854403LX

更新时间: 2024-01-09 11:16:41
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 403K
描述
x1 SRAM

5962-8854403LX 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DFP
包装说明:DFP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.56
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256KX1封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Qualified
座面最大高度:3.302 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

5962-8854403LX 数据手册

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5962-8854501LC MICROSS Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24

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