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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCN, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.31 |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N32 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 2.54 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 3 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8852515ZA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DFP-28 |
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| 5962-8852515ZC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS |
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| 5962-8852515ZX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28 |
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| 5962-8852516UA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28 |
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| 5962-8852516UC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28 |
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| 5962-8852516UX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PGA-28 |
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