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5962-8852515YX

更新时间： 2024-02-11 17:43:56

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	659K
描述
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32

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5962-8852515YX 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.31
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	2.54 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	3 ms	Base Number Matches：	1

AT28C256

11. Input Test Waveforms and Measurement Level

t_R, t_F< 5 ns

12. Output Test Load

13. Pin Capacitance

f = 1 MHz, T = 25°C⁽¹⁾

Symbol

C_IN

Typ

Max

Units

Conditions

V_IN= 0V

C_OUT

V_OUT= 0V

Note:

1. This parameter is characterized and is not 100% tested.

0006M–PEEPR–12/09

1...4 5 678 9 10...25

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8852515ZA	ATMEL	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DFP-28	获取价格
5962-8852515ZC	XICOR	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS	获取价格
5962-8852515ZX	MICROCHIP	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28	获取价格
5962-8852516UA	ATMEL	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28	获取价格
5962-8852516UC	XICOR	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28	获取价格
5962-8852516UX	XICOR	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PGA-28	获取价格