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5962-8852505XX

更新时间: 2024-02-28 15:00:35
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器ATM异步传输模式内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 659K
描述
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28

5962-8852505XX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.64
Is Samacsys:N最长访问时间:250 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T28内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class B
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

5962-8852505XX 数据手册

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2. Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A14  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
OE  
WE  
I/O0 - I/O7  
NC  
DC  
Don’t Connect  
2.3  
32-pad LCC, 28-lead PLCC Top View  
2.1  
28-lead TSOP Top View  
OE  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
A11  
A9  
2
CE  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
5
6
7
8
9
29 A8  
28 A9  
27 A11  
26 NC  
25 OE  
24 A10  
23 CE  
22 I/O7  
21 I/O6  
3
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A8  
4
A13  
WE  
VCC  
A14  
A12  
A7  
5
6
7
A1 10  
A0 11  
8
9
NC 12  
I/O0 13  
10  
11  
12  
13  
14  
A6  
A5  
A4  
A1  
A3  
A2  
Note:  
PLCC package pins 1 and 17 are Don’t Connect.  
2.4  
28-lead Cerdip/PDIP/Flatpack/SOIC –  
Top View  
2.2  
28-lead PGA Top View  
A14  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
WE  
A13  
A8  
2
3
A6  
4
A5  
5
A9  
A4  
6
A11  
OE  
A3  
7
A2  
8
A10  
CE  
A1  
9
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
2
AT28C256  
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