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5962-3826707MZX

更新时间： 2024-02-27 09:08:57

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路异步传输模式 ATM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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16页	599K
描述
1-Megabit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMs

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5962-3826707MZX 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS	数据保留时间-最小值：	10
JESD-30 代码：	R-CDFP-F32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.85 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	12.2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

AT28C010 Military

AC Write Waveforms

WE Controlled

CE Controlled

Page Mode Characteristics

Symbol

t_AS, t_OES

t_AH

Parameter

Min

Max

Units

Address, OE Set-up Time

Address Hold Time

t_CS

Chip Select Set-up Time

Chip Select Hold Time

Write Pulse Width (WE or CE)

Data Set-up Time

t_CH

t_WP

100

t_DS

t_DH, t_OEH

Data, OE Hold Time

0010D–PEEPR–7/09

1...4 5 678 9 10...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-3826707Q6M	MAXWELL	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-3826707Q6Q	MAXWELL	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-3826707Q6V	MAXWELL	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
5962-3826707Q7M	MAXWELL	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格
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5962-3826707Q7V	MAXWELL	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON	获取价格