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54F219FL

更新时间： 2024-02-03 17:06:23
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 166K
描述
64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs

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54F219FL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：16
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.79
最长访问时间：23 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T16
内存密度：64 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4功能数量：1
端子数量：16字数：16 words
字数代码：16工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：16X4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUALBase Number Matches：1

54F219FL 数据手册

 浏览型号54F219FL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号54F219FL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号54F219FL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号54F219FL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号54F219FL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号54F219FL的Datasheet PDF文件第7页 
Absolute Maximum Ratings (Note 1)  
If Military/Aerospace specified devices are required,  
please contact the National Semiconductor Sales  
Office/Distributors for availability and specifications.  
Current Applied to Output  
in LOW State (Max)  
twice the rated I (mA)  
OL  
Note 1: Absolute maximum ratings are values beyond which the device may  
be damaged or have its useful life impaired. Functional operation under  
these conditions is not implied.  
b
b
a
65 C to 150 C  
Storage Temperature  
§
§
a
55 C to 125 C  
Ambient Temperature under Bias  
§
§
§
§
§
§
Note 2: Either voltage limit or current limit is sufficient to protect inputs.  
b
b
a
55 C to 175 C  
Junction Temperature under Bias  
Plastic  
a
55 C to 150 C  
Recommended Operating  
Conditions  
Free Air Ambient Temperature  
Military  
Commercial  
V
Pin Potential to  
CC  
Ground Pin  
b
a
0.5V to 7.0V  
b
a
0.5V to 7.0V  
Input Voltage (Note 2)  
Input Current (Note 2)  
Voltage Applied to Output  
b
a
55 C to 100 C  
§
0 C to 70 C  
§
b
a
30 mA to 5.0 mA  
a
§
§
Supply Voltage  
Military  
Commercial  
e
in HIGH State (with V  
CC  
Standard Output  
0V)  
a
a
4.5V to 5.5V  
b
0.5V to 5.5V  
0.5V to V  
CC  
a
a
4.5V to 5.5V  
b
a
TRI-STATE Output  
DC Electrical Characteristics  
54F/74F  
Symbol  
Parameter  
Units  
V
CC  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
V
V
V
V
Input HIGH Voltage  
2.0  
V
V
V
Recognized as a HIGH Signal  
Recognized as a LOW Signal  
IH  
Input LOW Voltage  
0.8  
IL  
b
e b  
18 mA  
Input Clamp Diode Voltage  
1.2  
Min  
Min  
I
IN  
CD  
OH  
e b  
e b  
e b  
e b  
e b  
e b  
Output HIGH  
Voltage  
54F 10% V  
2.5  
2.4  
2.5  
2.4  
2.7  
2.7  
I
I
I
I
I
I
1 mA  
3 mA  
1 mA  
3 mA  
1 mA  
3 mA  
CC  
CC  
CC  
CC  
OH  
OH  
OH  
OH  
OH  
OH  
54F 10% V  
74F 10% V  
74F 10% V  
V
74F 5% V  
74F 5% V  
CC  
CC  
e
e
V
Output LOW  
Voltage  
54F 10% V  
74F 10% V  
0.5  
I
I
20 mA  
24 mA  
OL  
CC  
OL  
OL  
V
Min  
Max  
Max  
Max  
0.0  
0.5  
CC  
e
I
I
I
Input HIGH  
Current  
54F  
74F  
20.0  
5.0  
V
V
V
2.7V  
IH  
IN  
mA  
mA  
mA  
V
e
Input HIGH Current  
Breakdown Test  
54F  
74F  
100  
7.0  
7.0V  
BVI  
IN  
e
V
CC  
Output HIGH  
54F  
74F  
250  
50  
CEX  
OUT  
Leakage Current  
e
All Other Pins Grounded  
V
Input Leakage  
Test  
I
1.9 mA  
ID  
OD  
IL  
ID  
74F  
74F  
4.75  
e
All Other Pins Grounded  
I
I
Output Leakage  
Circuit Current  
V
150 mV  
IOD  
3.75  
mA  
mA  
0.0  
b
b
e
e
Input LOW  
Current  
0.6  
1.2  
V
V
0.5V (A , WE, D )  
n
IN  
n
Max  
0.5V (CS)  
IN  
e
I
I
I
I
I
Output Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output Short-Circuit Current  
Bus Drainage Test  
50  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
Max  
Max  
Max  
0.0V  
Max  
V
OUT  
V
OUT  
V
OUT  
V
OUT  
2.7V  
0.5V  
0V  
OZH  
OZL  
OS  
b
e
e
e
50  
b
b
60  
150  
500  
55  
5.25V  
ZZ  
Power Supply Current  
37  
CC  
3
12345678

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