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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | 4000V ESD PROTECTION |
| 系列： | F/FAST | JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.43 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.02 A | 功能数量： | 2 |
| 输入次数： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 10 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 22 ns | 传播延迟（tpd）： | 22 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | YES |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 54F13DMQB | TI | F/FAST SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP24, DIP-24 |
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| 54F13DMQB | NSC | IC F/FAST SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP24, DIP-24, Gate |
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| 54F13DMQB | ROCHESTER | NAND Gate, F/FAST Series, 2-Func, 4-Input, TTL, CDIP24, DIP-24 |
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| 54F13DMQB | FAIRCHILD | NAND Gate, F/FAST Series, 2-Func, 4-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
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| 54F13FM | ROCHESTER | NAND Gate, F/FAST Series, 2-Func, 4-Input, TTL, CDFP14, CERAMIC, FP-14 |
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| 54F13FM | TI | F/FAST SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14 |
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