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54ACT175DMQB

更新时间： 2024-02-22 00:06:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 输出元件
页数 文件大小 规格书
12页 207K
描述
ACT SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

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54ACT175DMQB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.32
Is Samacsys：N系列：ACT
JESD-30 代码：R-GDIP-T16JESD-609代码：e0
长度：19.43 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：D FLIP-FLOP最大频率@ Nom-Sup：95000000 Hz
最大I（ol）：0.024 A位数：4
功能数量：1端子数量：16
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出极性：COMPLEMENTARY封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP16,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
传播延迟（tpd）：12.5 ns认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883 Class B座面最大高度：5.08 mm
子类别：FF/Latches最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发器类型：POSITIVE EDGE宽度：7.62 mm
最小 fmax：95 MHzBase Number Matches：1

54ACT175DMQB 数据手册

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Absolute Maximum Ratings (Note 1)  
If Military/Aerospace specified devices are required,  
please contact the National Semiconductor Sales Office/  
Distributors for availability and specifications.  
Recommended Operating  
Conditions  
Supply Voltage (VCC  
)
’AC  
2.0V to 6.0V  
4.5V to 5.5V  
0V to VCC  
Supply Voltage (VCC  
)
−0.5V to +7.0V  
’ACT  
DC Input Diode Current (IIK  
)
Input Voltage (VI)  
=
VI −0.5V  
−20 mA  
+20 mA  
Output Voltage (VO  
)
0V to VCC  
=
VI VCC + 0.5V  
Operating Temperature (TA)  
54AC/ACT  
DC Input Voltage (VI)  
−0.5V to VCC + 0.5V  
−55˚C to +125˚C  
125 mV/ns  
DC Output Diode Current (IOK  
)
Minimum Input Edge Rate (∆V/∆t)  
’AC Devices  
=
VO −0.5V  
−20 mA  
+20 mA  
=
VO VCC + 0.5V  
% to 70% of V  
VIN from 30  
CC  
DC Output Voltage (VO  
DC Output Source  
)
−0.5V to VCC + 0.5V  
@
VCC 3.3V, 4.5V, 5.5V  
Minimum Input Edge Rate (∆V/∆t)  
’ACT Devices  
±
±
or Sink Current (IO  
)
50 mA  
DC VCC or Ground Current  
per Output Pin (ICC or IGND  
VIN from 0.8V to 2.0V  
)
50 mA  
@
VCC 4.5V, 5.5V  
125 mV/ns  
Storage Temperature (TSTG  
Junction Temperature (TJ)  
CDIP  
)
−65˚C to +150˚C  
Note 1: Absolute maximum ratings are those values beyond which damage  
to the device may occur. The databook specifications should be met, without  
exception, to ensure that the system design is reliable over its power supply,  
temperature, and output/input loading variables. National does not recom-  
mend operation of FACT® circuits outside databook specifications.  
175˚C  
DC Characteristics for ’AC Family Devices  
54AC  
=
Symbol  
Parameter  
VCC  
(V)  
3.0  
4.5  
5.5  
3.0  
4.5  
5.5  
3.0  
4.5  
5.5  
TA −55˚C to +125˚C  
Units  
Conditions  
Guaranteed Limits  
=
VIH  
Minimum High Level  
Input Voltage  
2.1  
3.15  
3.85  
0.9  
VOUT 0.1V  
V
V
V
or VCC − 0.1V  
=
VIL  
Maximum Low Level  
Input Voltage  
VOUT 0.1V  
1.35  
1.65  
2.9  
or VCC − 0.1V  
=
VOH  
Minimum High Level  
Output Voltage  
IOUT −50 µA  
4.4  
5.4  
(Note 2)  
=
VIN VIL or VIH  
=
IOH −12 mA  
3.0  
4.5  
5.5  
3.0  
4.5  
5.5  
2.4  
3.7  
4.7  
0.1  
0.1  
0.1  
=
IOH −24 mA  
V
V
=
IOH −24 mA  
=
VOL  
Maximum Low Level  
Output Voltage  
IOUT 50 µA  
(Note 2)  
=
VIN VIL or VIH  
=
IOL 12 mA  
3.0  
4.5  
5.5  
5.5  
0.50  
0.50  
0.50  
=
IOL 24 mA  
V
=
IOL 24 mA  
=
±
IIN  
Maximum Input  
Leakage Current  
(Note 3)  
1.0  
µA  
VI VCC, GND  
=
VOLD 1.65V Max  
IOLD  
IOHD  
Minimum Dynamic  
Output Current  
5.5  
5.5  
50  
mA  
mA  
=
VOHD 3.85V Min  
−50  
3
www.national.com  
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54ACT175DMQB-RH NSC 暂无描述

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