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512KCB000118BAGR

更新时间： 2024-01-20 05:31:52

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芯科 - SILICON		振荡器
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23页	603K
描述
CMOS Output Clock Oscillator,

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512KCB000118BAGR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
振荡器类型：	CMOS	Base Number Matches：	1

512KCB000118BAGR 数据手册

Si512/513

Table 3. Output Clock Levels and Symmetry

V_DD= 1.8 V ±5%, 2.5 or 3.3 V ±10%, T_A= –40 to +85 ^oC

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Units

0.85 x V

—

CMOS Output Logic

High

—

0.15 x V

CMOS Output Logic

Low

3.3 V

2.5 V

–8

–6

–4

—

0.8

—

1.2

CMOS Output Logic

High Drive

1.8 V

3.3 V

CMOS Output Logic

Low Drive

2.5 V

1.8 V

T /T

0.1 to 125 MHz,

—

CMOS Output Rise/Fall

Time

C = 15 pF

(20 to 80% V

)

0.1 to 212.5 MHz,

—

0.6

—

0.9

C = no load

T /T

565

LVPECL/HCSL Output

Rise/Fall Time

(20 to 80% V

)

T /T

—

800

LVDS Output Rise/Fall

Time

(20 to 80% V

)

—

–

—

LVPECL Output

Common Mode

50  to V – 2 V,

1.4 V

single-ended

0.55

0.8

0.90

PPSE

LVPECL Output Swing

50  to V – 2 V,

single-ended

100  line-line, V = 3.3/2.5 V

1.13

0.83

0.25

1.23

0.92

0.35

1.33

1.00

0.45

LVDS Output Common

Mode

100  line-line, V = 1.8 V

Single-ended, 100  differential

LVDS Output Swing

PPSE

termination

50 to ground

0.35

0.38

0.42

HCSL Output Common

Mode

Single-ended

0.58

0.73

0.85

HCSL Output Swing

Duty Cycle

PPSE

All Output Formats

Rev. 1.2

1 2 3 456 7 8...23

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