50RIA40PBF

更新时间： 2024-02-14 16:42:02

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威世 - VISHAY		/
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7页	151K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN

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50RIA40PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-65
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.11	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us	最大直流栅极触发电流：	100 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V	JEDEC-95代码：	TO-208AC
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	80 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

50RIA40PBF 数据手册

50RIA Series

Medium Power Thyristors

(Stud Version), 50 A

Vishay High Power Products

SWITCHING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

T_C= 125 °C, V_DM= Rated V_DRM

Gate pulse = 20 V, 15 Ω, t_p= 6 µs, t_r= 0.1 µs maximum

_TM= (2 x rated dI/dt) A

VALUES UNITS

V_DRM≤ 600 V

V_DRM≤ 1600 V

200

A/µs

100

Maximum rate of

rise of turned-on current

dI/dt

T_C= 25 °C, V_DM= Rated V_DRM, I_TM= 10 A dc resistive circuit

Gate pulse = 10 V, 15 Ω source, t_p= 20 µs

Typical delay time

Typical turn-off time

t_d

t_q

0.9

µs

T_C= 125 °C, I_TM= 50 A, reapplied dV/dt = 20 V/µs

dIr/dt = - 10 A/µs, V_R= 50 V

110

BLOCKING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

T_J= T_Jmaximum linear to 100 % rated V_DRM

T_J= T_Jmaximum linear to 67 % rated V_DRM

VALUES UNITS

200

V/µs

Maximum critical rate of rise of

off-state voltage

dV/dt

500 ⁽¹⁾

Note

(1)

Available with dV/dt = 1000 V/µs, to complete code add S90 i.e. 50RIA120S90

TRIGGERING

PARAMETER

SYMBOL

P_GM

TEST CONDITIONS

T_J= T_Jmaximum, t_p≤ 5 ms

VALUES

UNITS

Maximum peak gate power

Maximum average gate power

Maximum peak positive gate current

Maximum peak positive gate voltage

Maximum peak negative gate voltage

P_G(AV)

I_GM

2.5

+V_GM

-V_GM

T_J= - 40 °C

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

T_J= - 40 °C

250

100

Maximum required gate trigger

current/voltage are the lowest

value which will trigger all units 6 V

anode to cathode applied

DC gate current required to trigger

I_GT

3.5

DC gate voltage required to trigger

DC gate current not to trigger

DC gate voltage not to trigger

V_GT

T_J= 25 °C

2.5

T_J= T_Jmaximum,

Maximum gate current/voltage not

to trigger is the maximum value

which will not trigger any unit with

rated V_DRManode to cathode

applied

I_GD

5.0

0.2

_DRM= Rated voltage

V_GD

T_J= T_Jmaximum

Document Number: 93711

Revision: 19-Sep-08

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
50RIA40S90	VISHAY	获取价格	Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A
50RIA40S90	INFINEON	获取价格	MEDIUM POWER THYRISTORS
50RIA40S90M	VISHAY	获取价格	Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A
50RIA40S90M	INFINEON	获取价格	MEDIUM POWER THYRISTORS
50RIA40S90MPBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,
50RIA40S90MPBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,
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50RIA60	INFINEON	获取价格	MEDIUM POWER THYRISTORS
50RIA60	VISHAY	获取价格	Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A
50RIA60	NJSEMI	获取价格	Thyristor SCR 600V 1.49KA 3-Pin TO-65

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