50RIA10S90

更新时间： 2024-01-17 20:10:10

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英飞凌 - INFINEON		栅极触发装置可控硅整流器
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8页	209K
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MEDIUM POWER THYRISTORS

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50RIA10S90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-65
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.11
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	100 mA
JEDEC-95代码：	TO-208AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	80 A
断态重复峰值电压：	100 V	重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

50RIA10S90 数据手册

50RIA Series

Bulletin I2401 rev. A 07/00

Steady State Value

= 0.35 K/W

thJ-hs

0.1

50RIA Series

0.01

0.001

0.01

0.1

Square Wave Pulse Duration (s)

Fig. 15 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

100

Rectangular gate pulse

(1) PGM = 10W, tp = 5ms

(2) PGM = 20W, tp = 2.5ms

(3) PGM = 50W, tp = 1ms

a) Recommended load line for

rated di/dt : 20V, 30 ohms; tr<=0.5 µs

b) Recommended load line for

<=30%rated di/dt : 20V, 65 ohms

tr<=1 µs

(4) PGM = 100W, tp = 500µs

(b)

(a)

(1) (2) (3) (4)

VGD

IGD

0.01

50RIA Series Frequency Limited by PG(AV)

10 100 1000

0.1

0.001

0.1

Instantaneous Gate Current (A)

Fig. 16 - Gate Characteristics

www.irf.com

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