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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-65 | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 5.11 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 标称电路换相断开时间： | 110 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V |
| 最大维持电流： | 200 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大漏电流： | 15 mA | 通态非重复峰值电流： | 1250 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 50000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 80 A | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 50RIA120S90M | INFINEON |
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MEDIUM POWER THYRISTORS |
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| 50RIA120S90M | VISHAY |
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Medium Power Thyristors (Stud Version), 50 A |
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| 50RIA120S90MPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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| 50RIA120S90MPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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| 50RIA120S90PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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| 50RIA140 | INFINEON |
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MEDIUM POWER THYRISTORS |
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| 50RIA140 | NJSEMI |
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Thyristor SCR 1.4KV 1.257KA 3-Pin TO-65 |
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| 50RIA140M | INFINEON |
获取价格 |
MEDIUM POWER THYRISTORS |
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| 50RIA140MS90 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 50000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Ele |
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| 50RIA140MS90PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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