5082-2835

更新时间： 2024-01-29 18:45:34

品牌	Logo	应用领域
安捷伦 - AGILENT		微波混频二极管
页数	文件大小	规格书
6页	57K
描述
Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

5082-2835 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.75
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	1 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

5082-2835 数据手册

Typical Parameters

100

10.000

1,000

100

1000

100

100°C

50°C

25°C

0°C

= 25°C

0.1

0.01

–50°C

0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60

– FORWARD VOLTAGE (V)

0.01

I - FORWARD CURRENT (mA)

100

(V)

Figure 1. I-V Curve Showing Typical

Temperature Variation for 5082-2300

Series and 5082-2900 Schottky Diodes.

Figure 2. 5082-2300 Series Typical

Reverse Current vs. Reverse Voltage

at Various Temperatures.

Figure 3. 5082-2300 Series and 5082-2900

Typical Dynamic Resistance ( R ) vs.

Forward Current ( I ) .

100,000

1.2

1.0

0.8

0.6

150

125

10,000

1000

100

+150°C

0.5

+100°C

5082-2900

5082-2303

+50°C

+25°C

0°C

0.4

0.1

0.05

0.2

–50°C

= °C

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.2

V - FORWARD VOLTAGE (V)

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

- REVERSE VOLTAGE (V)

Figure 6. ( 5082-2800 OR 1N5711)

Figure 4. 5082-2300 and 5082-2900

Typical Capacitance vs. Reverse

Voltage.

Figure 5. I-V Curve Showing Typical

Temperature Variation for 5082-2800

or 1N5711 Schottky Diodes.

Typical Variation of Reverse Current

( I ) vs. Reverse Voltage ( V ) at

Various Temperatures.

12.0

1.5

1.0

0.5

100

10,000

1000

100

150

125

100

+150°C

1.0

0.1

+100°C

+50°C

= °C

+25°C

0°C

–50°C

0.01

1.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V - REVERSE VOLTAGE (V)

- REVERSE VOLTAGE (V)

- FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 7. ( 5082-2800 or 1N5711)

Typical Capacitance ( C ) vs. Reverse

Figure 8. I-V Curve Showing Typical

Temperature Variation for the 5082-

2810 or 1N5712 Schottky Diode.

Figure 9. ( 5082-2810 or IN5712)

Typical Variation of Reverse Current

Voltage ( V ) .

( I ) vs. Reverse Voltage ( V ) at

Various Temperatures.

1 2 345 6

下载PDF

与5082-2835相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5082-2835#T25	AVAGO	SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, GLASS PACKAGE-2	获取价格
5082-2835#T50	AGILENT	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.01A, 8V V(RRM), AXLG-2	获取价格
5082-2835#T50	AVAGO	SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, GLASS PACKAGE-2	获取价格
5082-2835_1008	ASI	SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
5082-2836	ASI	SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
5082-2900	NJSEMI	Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications	获取价格