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4N35TVM

更新时间: 2024-02-22 06:46:32
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输出元件晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 330K
描述
6 引脚 DIP 封装光电晶体管输出光耦合器

4N35TVM 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.40.80.00风险等级:5.4
其他特性:UL RECOGNIZED, VDE APPROVEDColl-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V
配置:SINGLE标称电流传输比:100%
最大暗电源:50 nA最大正向电流:0.06 A
最大绝缘电压:7500 VJESD-609代码:e3
元件数量:1最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-55 °C光电设备类型:TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

4N35TVM 数据手册

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4N25M, 4N26M, 4N27M, 4N28M, 4N35M, 4N36M, 4N37M  
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (continued)  
1000  
100  
10  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
I
V
T
= 10 mA  
V
= 10 V  
CC  
= 2 mA  
= 100 ꢀ  
L
F
= 10 V  
I
C
CC  
= 25_C  
R
A
T
off  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
T
f
T
on  
1
T
r
0.1  
10  
100  
1000  
10000  
100000  
0.1  
1
10  
100  
R
– Base Resistance (kW)  
R – Load Resistor (kW)  
BE  
Figure 7. Switching Speed vs. Load Resistor  
Figure 8. Normalized ton vs. RBE  
10000  
1000  
100  
10  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
V
T
A
= 10 V  
= 25_C  
CE  
1
V
= 10 V  
= 2 mA  
= 100 ꢀ  
CC  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.1  
I
C
R
L
0.01  
0.001  
0
20  
40  
60  
80  
100  
10  
100  
1000  
10000  
100000  
R
– Base Resistance (kW)  
T
A
– Ambient Temperature (_C)  
BE  
Figure 9. Normalized toff vs. RBE  
Figure 10. Dark Current vs. Ambient Temperature  
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT AND WAVEFORMS  
WAVE FORMS  
TEST CIRCUIT  
VCC = 10 V  
INPUT PULSE  
IC  
IF  
RL  
10%  
INPUT  
OUTPUT  
OUTPUT PULSE  
90%  
RBE  
t
r
tf  
toff  
ton  
Adjust I to produce I = 2 mA  
F
C
Figure 11. Switching Time Test Circuit and Waveform  
www.onsemi.com  
6

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